Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 44 A 136 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

30mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

44A