Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 32mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 22nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 36A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 36A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 32mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 125W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5.35mm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET