Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 245 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

40mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.82V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

83nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

13A