Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 87 A 234 W, 8-Pin PG-HSOF-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 12.9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 37nC
- Gehäusegröße
- PG-HSOF-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 87A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 87A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 12.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 37nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET