Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 333 A 278 W, 8-Pin HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

158nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

HSOF-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

333A

Maximale Betriebstemperatur

150°C