Infineon IPDQ60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 174 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 10mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.82V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 318nC
- Gehäusegröße
- PG-HDSOP-22
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 174A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 174A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = PG-HDSOP-22
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 22
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 10mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 318nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 15.1mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET