Infineon IMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 77 A 416 W, 4-Pin PG-LHSOF-4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

24mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

57nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

4.5 V

Gehäusegröße

PG-LHSOF-4

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

77A

Maximale Betriebstemperatur

175°C