Infineon IMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 77 A 416 W, 4-Pin PG-LHSOF-4
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 24mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 57nC
- Gehäusegröße
- PG-LHSOF-4
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 77A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 416W
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 77A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-LHSOF-4
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 24mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 57nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET