Infineon IMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 43 A 197 W, 4-Pin PG-LHSOF-4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

62mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25 V

Gehäusegröße

PG-LHSOF-4

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

43A

Maximale Betriebstemperatur

175°C