Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. , 1200 V 4,3 kW

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Dauer-Kollektorstrom max.

900 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Verlustleistung max.

4,3 kW