Infineon IGBT-Modul, 750 V 870 W HybridPACK
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 6
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- HybridPACK
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 750V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.35V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 870W
- Normen/Zulassungen
- RoHS, IEC24720 and IEC16022
- Produkt Typ
- IGBT-Modul
- Serie
- FS950R08A6P2BBPSA1
Produktbeschreibung
Produkt Typ = IGBT-Modul
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 750V
Maximale Verlustleistung Pd = 870W
Gehäusegröße = HybridPACK
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS, IEC24720 and IEC16022
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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