Infineon IGBT-Modul / 600 A, 1200 V 20 mW, 7-Pin Standard Typ N-Kanal Klemme
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- Standard
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 75V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 600A
Produktbeschreibung
Das Infineon IGBT-Modul der Serie C mit Emitter-gesteuerter HE-Diode und schnellem Trenchstop IGBT4. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Kollektorstrom von 600 A. Er wird hauptsächlich in der Motorsteuerung und Antrieben, Lösungen für Solarenergiesysteme, USV-Systemen und Hochleistungswandlern eingesetzt.Höchste Leistungsdichte Flexibilität Optimale elektrische Leistung Höchste Zuverlässigkeit Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT