Infineon IGBT-Modul / 40 A, 90 A ±20V max. Quad, 650 V 20 mW

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

4

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A, 90 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Verlustleistung max.

20 mW