Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal

Technische Daten

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

1,8 kA

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

Prime3+

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Pinanzahl

10

Transistor-Konfiguration

Dual

Verlustleistung max.

20 mW