Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max. , 650 V 20 mW AG-EASY3B.

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

AG-EASY3B.

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Konfiguration

Single

Verlustleistung max.

20 mW