Infineon IGBT / 800 A ±20V max. Dual, 1200 V, 3-Pin AG-62MMHB N-Kanal
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 800 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 800 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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