Infineon IGBT / 600 A, 1200 V, 7-Pin AG-62MM Typ N-Kanal Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- AG-62MM
- Höhe
- 30.9mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 106.4mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2.2V
Produktbeschreibung
Das Infineon 62 mm 1200 V, 600 A Dual-IGBT-Modul mit Trenchstop ® IGBT4 und Emitter-gesteuerter Diode. Auch erhältlich als Variante mit gemeinsamem Emitter:FF600R12KE4_E.RoHS-konform 4 kV ac, 1 min Isolierung Gehäuse mit CTI > 400 Hohe Kriechalter- und Sicherheitsabstände UL/CSA-Zertifizierung mit UL1557 E83336
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT