Infineon IGBT / 35 A, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul Typ N-Kanal Fahrgestell
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 7
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- Modul
- Höhe
- 21.3mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 1200V
- Länge
- 107.5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 1.6V
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) = 35A
Produkt Typ = IGBT
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) = 1200V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 20mW
Anzahl an Transistoren = 7
Gehäusegröße = Modul
Montageart = Fahrgestell
Kabelkanaltyp = Typ N
Pinanzahl = 23
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)) = 1.6V
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) = 20 V
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 21.3mm
Länge = 107.5mm <br
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT