Infineon IGBT / 200 A Gemeinsamer Emittent, 1700 V 1250 W, 7-Pin 62MMH Typ N-Kanal Panel

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

62MMH

Höhe

30.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1700V

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.45V