Infineon IGBT / 1,2 kA ±20V max. Dual, 1700 V 1200 kW N-Kanal
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 1,2 kA
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1700 V
- Konfiguration
- Halbbrücke
- Montage-Typ
- Schraubmontage
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,2 kA
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Halbbrücke
Montage-Typ = Schraubmontage
Channel-Typ = N
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
