Infineon IGBT / 100 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul Typ N-Kanal Panel

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

Modul

Höhe

20.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1200V

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.72V