Infineon Halbbrücke C Series N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET-Module 1200 V Erweiterung / 185 A 20 mW, 7-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 4.62mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 6.25V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 2.65μC
- Gehäusegröße
- AG-62MMHB
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 185A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
