Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 54 A 242 W, 8-Pin PG-LHSOF-4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

49mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

28nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

23 V

Gehäusegröße

PG-LHSOF-4

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

54A

Maximale Betriebstemperatur

175°C