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Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 54 A 242 W, 8-Pin PG-LHSOF-4

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IMTA65R040M2HXTMA1

Produkt-Nr.: P-CZKTKR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
49mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
28nC
Gehäusegröße
PG-LHSOF-4
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
54A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
242W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 54A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-LHSOF-4
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 49mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 28nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET