Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 141 W, 4-Pin TO-LL
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 95mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 32nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 25V
- Gehäusegröße
- TO-LL
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 30A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = N-Kanal
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 30A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Serie = CoolSiC
Montageart = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 95mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 32nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHSmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET