Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 440 V / 144 A 429 W, 8-Pin TO-LL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

440V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

11.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

4.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

85nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25V

Gehäusegröße

TO-LL

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

144A