Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 440 V / 111 A 341 W, 8-Pin TO-LL
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 440V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 15mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 4.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 62nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 25V
- Gehäusegröße
- TO-LL
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 111A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 111A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 440V
Gehäusegröße = TO-LL
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 15mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 4.3V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET