Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 64 A 357 W, 4-Pin Band und Rolle

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

40mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

97nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Höhe

2.35mm

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

64A

Maximale Betriebstemperatur

175°C