Infineon CoolMOS CM8 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 135 A 625 W, 22-Pin PG-HDSOP-22
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 16mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 171nC
- Gehäusegröße
- PG-HDSOP-22
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 135A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 625W
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 135A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = PG-HDSOP-22
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 22
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 16mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 171nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDECforIndustrialApplications, RoHS
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET