Infineon CoolGaN N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 650 V / 30 A 55 W, 9-Pin PG-HDSOP-16
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 140mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.61nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- -10V
- Gehäusegröße
- PG-HDSOP-16
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 30A
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
