Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 4 A 43 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.2Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- -5.5V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 8.7nC
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-220
Montageart = Durchsteckmontage
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.2Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 8.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 10.41mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040894860