Vishay N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Vishay N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFBG30PBF

Produkt-Nr.: P-CCJNRG

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 3,1 A
Drain-Source-Spannung max.: 1000 V
Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220AB
Höhe: 9.01mm

Produktbeschreibung

Montage-Typ = THT
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 9.01mm

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor