Vishay IRFBG30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.1 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1kV

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3.1A