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Vishay EF Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SiHG33N60EF-GE3

Produkt-Nr.: P-CCLRJK

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
33 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
98 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Höhe
20.82mm
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor. Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom Niedriger Gütefaktor (FOM) Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040641365