Optek THT NPN Fototransistor IR 7μs / 3000μA, 3-Pin TO18

Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 7µs
Regelanstiegszeit = 7µs
Anzahl der Kanäle = 1
Lichtstrom max. = 3000µA
Dunkelstrom max. = 100nA
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 3
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = TO18
Abmessungen = 5.84 x 5.84 x 5.13mm
Kollektorstrom = 50mA
Länge = 5.84mm

Fototransistoren der Serie OP800WSL, OP801WSL und OP802WSL. Bei dieser Familie von NPN-Silizium-Fototransistoren von Optek Technology Inc. handelt es sich um hermetisch gekapselte Geräte. Sie befinden sich in Standard TO-18 Metallgehäusen, die eine hohe Verlustleistung ermöglichen. Aufgrund dieser Gehäuse eignen sie sich besonders für Anwendungen in rauen Umgebungen.. Merkmale der Fototransistoren OP800WSL, OP801WSL und OP802WSL:Metallzylindergehäuse TO-18Hermetisch gekapseltDurchgangsbohrungGroßer EmpfangswinkelSerie von unterschiedlichen EmpfindlichkeitenBetriebstemperatur: –65 bis +125 °C