Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 151nC
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 171A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 517W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 171A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = TO-247
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 151nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 15.87mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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