Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

151nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

TO-247

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

171A