Infineon Doppelt FF6MR Typ N-Kanal 1, Fahrgestell MOSFET 1200 V Erweiterung / 250 A 20 mW AG-62MM
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.81mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 5.85V
- Gehäusegröße
- AG-62MM
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 250A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 20mW
- Montageart
- Fahrgestell
- Normen/Zulassungen
- No
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- FF6MR
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Das Infineon Halbbrückenmodul mit 62 mm, 1200 V, 6 mΩ und Cool Sic TM MOSFET.Hohe Stromdichte Niedrige Schaltverluste Überlegene Toroxid-Zuverlässigkeit Höchste Robustheit gegen Feuchtigkeit Robuste integrierte Gehäusediode und damit optimale thermische Bedingungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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