Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 146 A 104 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.7mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

50.6nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

146A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

104W