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Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 146 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SiR580DP-T1-RE3

Produkt-Nr.: P-DJ2Z6C

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
80V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.0027Ω
Durchlassspannung (Vf)
80V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
50.6nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Kabelkanaltyp
N-Kanal
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
146A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 146A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 80V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0027Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 104W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 7mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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