Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 5 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3.9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 32.5nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 36A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 36A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,50 € 0,60 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | |||
| 12 Monate | 0,50 € 0,60 € inkl. MwSt.* | Maximal 5000 verfügbar |
* zzgl. Versandkosten