Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 5 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

32.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

36A