Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.058Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 13nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- SO-8
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 5.3A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 3.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 5.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.058Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 13nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 4.8mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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