Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.058Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

13nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.3A