Vishay SiH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 202 W, 4-Pin PowerPAK SO-8

Name: Vishay SiH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 202 W, 4-Pin PowerPAK SO-8
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHH070N60EF-T1GE3

Produkt-Nr.: P-DJ2Z65-DJ6N3L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.061Ω
Durchlassspannung (Vf): 600V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 50nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 30V
Gehäusegröße: PowerPAK SO-8
Kabelkanaltyp: N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 36A
Maximale Verlustleistung (Pd): 202W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SiH

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = N-Kanal
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 36A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montageart = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.061Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 202W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = Nein