Vishay EF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 202 W, 5-Pin PowerPAK 8 x 8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 71mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 75nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- PowerPAK 8 x 8
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 36A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 202W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- EF
Produktbeschreibung
Der Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedrige Leistungszahl Niedrige effektive Kapazität Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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