Vishay SiH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.061Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 600V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 48nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- PowerPAK 10 x 12
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 33A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 192W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiH
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 33A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 600V
Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.061Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 192W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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