Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 33 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Entleerung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.061Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

72nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

33A