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Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIR512DP-T1-RE3

Produkt-Nr.: P-DRGFMN-DRXXTX

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.01Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
56nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
100A
Maximale Betriebstemperatur
125°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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