Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 96.2 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.0045Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 100V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 41nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- PowerPAK SO-8
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 100A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 96.2W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiR
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = N-Kanal
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montageart = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.0045Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Source-spannung max Vgs = 20V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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