Vishay N-Channel 100 V N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 110 A 6.25 W, 8-Pin SO-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.6mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 51nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- SO-8
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 110A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 6.25W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- N-Channel 100 V
Produktbeschreibung
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM 100 % Rg- und UIS-geprüft
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,94 € 1,12 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 3000 verfügbar | ||
| 12 Monate | 3,73 € 4,44 € inkl. MwSt.* | ||||
| 12 Monate | 4,01 € 4,77 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten