Vishay N-Channel 100 V N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 110 A 6.25 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

51nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110A

Maximale Betriebstemperatur

150°C