Vishay IRFR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 2.5 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

540mΩ

Durchlassspannung (Vf)

2.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.3nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20, +20V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.3A