Vishay IRFR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 540mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 2.5V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 8.3nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- -20, +20V
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.3A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.5W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IRFR
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 540mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2.39mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040891081
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